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“創(chuàng)新強鏈，雙驅發(fā)展”2022中國（深圳）集成電路峰會在深圳坪山第二天論壇熱烈進行中（下）
?由深圳市人民政府、中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦，深圳市半導體行業(yè)協(xié)會社會承辦的以“創(chuàng)芯強鏈，雙驅發(fā)展”為主題的“2022中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022峰會），于2022年12月30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店繼續(xù)第二天多場行業(yè)論壇。ICS2022峰會集中展示了我國集成電路產業(yè)最新的技術成果，聚集了眾多國內外專家學者、技術大咖和企業(yè)領袖，圍繞集成電路技術與產業(yè)應用創(chuàng)新、產業(yè)鏈生態(tài)與安全機制建設、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術演進趨勢與熱點
2022-12-29
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2022 中國（深圳）集成電路峰會隆重召開
【深圳坪山格蘭云天大酒店，2022年12月29日，深圳市半導體協(xié)會】由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組共同舉辦的以“創(chuàng)新強鏈，雙驅發(fā)展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會”（以下簡稱：ICS2022 峰會），于2022年12月29日至30日，在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。本屆峰會聚集了國內外著名院士、專家學者、政府官員、技術大咖和企業(yè)領袖，圍繞集成電路技術與產業(yè)應用創(chuàng)新、產業(yè)鏈生態(tài)與安全機制建設、國際局勢分析與協(xié)同發(fā)展、技術演進趨勢與熱點應用、資本整合與運作模式創(chuàng)新、芯片與整機產業(yè)聯(lián)動等方向，共同探討新形勢下的產業(yè)發(fā)展機遇，助推我國創(chuàng)新發(fā)展優(yōu)勢，加快科技強國建設。
2022-12-29
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ICS 2022峰會直通車丨“線上線下”相結合，高效務實開峰會
?為減少人員聚集，降低疫情傳播風險 ，2022年中國（深圳）集成電路峰會（以下簡稱：ICS 2022峰會）將以“線上會議+線下會議”方式舉行。由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組擬定以“創(chuàng)新強鏈，雙驅發(fā)展”為主題，于2022年12月29日-30日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉辦（憑綠碼即可參會）。
2022-12-28
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雙柵結構 SiC FETs 在電路保護中的應用
據介紹，Qorvo 是一家專注于射頻領域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技術都有投入的公司。此外，Qorvo 在觸控和電源等方面也有布局。如在 2021 年領先碳化硅（SiC）功率半導體供應商 UnitedSiC 公司的收購，就擴展 Qorvo 在高功率應用方面的市場機會，這部分業(yè)務也被納入了 Qorvo 的 IDP 部門。
2022-12-28
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淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)
功率半導體作為電力電子行業(yè)的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優(yōu)化的技術和成本優(yōu)勢主導了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優(yōu)異的電學和熱學特性使得功率半導體器件的性能遠遠超過傳統(tǒng)硅材料的限制。
2022-12-26
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基于硅納米波導倏逝場耦合的超緊湊光學式MEMS加速度計
近些年，MEMS加速度計因其體積小、功耗低、易于與互補金屬氧化物半導體晶體管集成電路（CMOS IC）整合而受到持續(xù)關注。目前已經開發(fā)了電容、壓阻、壓電、光學等原理的加速度計，以檢測輸入加速度引起的檢測質量塊位移。在這些技術中，光學方案已被證明具有更高的精度和穩(wěn)定性，并且不會受到電磁干擾（EMI）。
2022-12-26
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郵票式SoM模塊，加快工業(yè)以太網應用
現代工廠中，在設備上添加工業(yè)以太網功能已經成為已成為制造業(yè)搶抓機遇、塑造優(yōu)勢的“必選項”。然而為實現工業(yè)以太網功能而修改設備的全部設計，這在時間和成本方面都造成了巨大的開發(fā)負擔。為應對這一挑戰(zhàn)，瑞薩推出了千兆工業(yè)以太網SoM解決方案，該方案使用瑞薩的電源管理IC、光電耦合器、EEPROM和其它混合信號器件，在SoM+載板架構中提供可配置的工業(yè)以太網。
2022-12-23
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物聯(lián)網原型開發(fā)，如何能夠“快”起來？
根據IDC的數據，2021年全球物聯(lián)網支出規(guī)模達6,902.6億美元，并有望在2026年達到1.1萬億美元，2022年至2026年的年復合增長率（CAGR）為10.7%。同時，IoT AnaIytics的研究報告也顯示，2020年全球物聯(lián)網設備連接數達113億，首次超過非物聯(lián)網設備連接數，預計2025年將達到270億，復合增長率更是高達22%！在可以預見的未來，物聯(lián)網中蘊藏著巨大的商機，這已是不爭的事實。
2022-12-23
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先進碳化硅技術，有效助力儲能系統(tǒng)
人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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氮化鎵柵極驅動專利：RC負偏壓關斷技術之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。
2022-12-22
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貿澤備貨超20,000種TDK Corporation產品
提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 是TDK Corporation解決方案的全球授權分銷商。貿澤為客戶提供來自TDK及旗下公司EPCOS、InvenSense、Micronas、Tronics和TDK-Lambda的20,000多種產品。
2022-12-21
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