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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。
2008-08-20
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Molex推出新型microSD卡連接器
Molex推出新系列的microSD卡連接器，提供附加功能在移動(dòng)和袖珍型設(shè)備中幫助控制卡的彈出。專為世界上最小的記憶卡存儲(chǔ)系統(tǒng)microSD而設(shè)計(jì)，Molex的microSD卡連接器具有兩種外形高度，解決了在彈簧式卡彈出系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的卡飛出和卡卡住的問題。
2008-08-20
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298D系列：Vishay便攜應(yīng)用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品
Vishay宣布擴(kuò)展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術(shù)以擴(kuò)展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。
2008-08-15
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安森美半導(dǎo)體ESD保護(hù)二極管榮獲《Electronic Products》2007“年度產(chǎn)品”獎(jiǎng)
安森美半導(dǎo)體的ESD9L5.0S ESD保護(hù)二極管榮獲美國(guó)《Electronic Products》雜志頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎(jiǎng)。產(chǎn)品評(píng)選包括技術(shù)上的重大進(jìn)展、應(yīng)用、設(shè)計(jì)創(chuàng)新或性價(jià)比有出色表現(xiàn)。
2008-08-04
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計(jì)
Vishay宣布推出具有長(zhǎng)久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計(jì)。
2008-07-11
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開關(guān)
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
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Vishay的電點(diǎn)火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎(jiǎng)
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會(huì)和頒獎(jiǎng)典禮上，其電點(diǎn)火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎(jiǎng)。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對(duì)便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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