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打造工業(yè)頂級(jí)盛會(huì)：意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2024在深圳舉辦
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將于10月29日在中國(guó)深圳福田香格里拉酒店舉辦工業(yè)峰會(huì)2024 。
2024-10-28
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電源中的分壓器
在電源設(shè)計(jì)中，可以手動(dòng)設(shè)置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開關(guān)和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過分壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的。兩個(gè)電阻值的比率必須合適才能設(shè)置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個(gè)分壓器。
2024-10-27
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低功耗藍(lán)牙賦能的太陽(yáng)鏡為摩托車手提供免分心導(dǎo)航體驗(yàn)
技術(shù)公司Blucap推出了一副可用作摩托車導(dǎo)航平視顯示器(HUD)的太陽(yáng)鏡。輕巧的 “Blucap Moto ”太陽(yáng)鏡集成了Nordic Semiconductor公司的nRF52840 SoC，為太陽(yáng)鏡和騎手的智能手機(jī)以及車把上的遙控配件提供低功耗藍(lán)牙無(wú)線連接。遙控器采用 Nordic 的 nRF52810 SoC 實(shí)現(xiàn)無(wú)線連接。
2024-10-27
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三極管電路輸入電壓阻抗
利用三極管，?搭建單管共射反向放大器，?放大器的增益與多個(gè)因素有關(guān)系，也和輸入阻抗成反比。如何來(lái)測(cè)量單管運(yùn)放的輸入阻抗呢？ 下面在 LTspice中通過仿真進(jìn)行測(cè)量。
2024-10-27
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貿(mào)澤電子為電子設(shè)計(jì)工程師提供先進(jìn)的醫(yī)療技術(shù)資源和產(chǎn)品
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出內(nèi)容動(dòng)態(tài)更新的醫(yī)療資源中心，探索改變醫(yī)療保健產(chǎn)業(yè)并且拯救生命的技術(shù)。隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的蓬勃發(fā)展，醫(yī)療保健系統(tǒng)突飛猛進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了更快、更準(zhǔn)確的診斷，大幅縮短了等待時(shí)間，并且還采用了各種先進(jìn)的數(shù)字療法。人工智能 (AI) 的分析能力正在重新定義患者護(hù)理工作，提供前所未有的深入健康數(shù)據(jù)，同時(shí)改變慢性病和無(wú)法治愈的疾病的治療方法。
2024-10-26
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對(duì)較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
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第7講：SiC單晶襯底加工技術(shù)
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個(gè)長(zhǎng)時(shí)間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來(lái)新出現(xiàn)的晶圓制備方法。
2024-10-23
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用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試
電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測(cè)試，但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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兆易創(chuàng)新GD32F30x STL軟件測(cè)試庫(kù)獲得德國(guó)萊茵TüV IEC 61508功能安全認(rèn)證
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其GD32F30x STL軟件測(cè)試庫(kù)獲得了德國(guó)萊茵TüV（以下簡(jiǎn)稱“TüV萊茵”）頒發(fā)的IEC 61508 SC3（SIL 2/SIL 3）功能安全認(rèn)證證書，這也是繼GD32H7 STL軟件測(cè)試庫(kù)之后再次獲得的此類認(rèn)證，這意味著兆易創(chuàng)新在功能安全領(lǐng)域的布局已全面覆蓋了Arm? Cortex?-M7內(nèi)核高性能MCU和Arm? Cortex?-M4內(nèi)核主流型MCU的軟件測(cè)試庫(kù)，將為用戶在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用提供更豐富的產(chǎn)品選擇。
2024-10-18
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芯科科技第三代無(wú)線開發(fā)平臺(tái)引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展
致力于以安全、智能無(wú)線連接技術(shù)，建立更互聯(lián)世界的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”），日前在首屆北美嵌入式世界展覽會(huì)（Embedded World North America）上發(fā)表了開幕主題演講，公司首席執(zhí)行官M(fèi)att Johnson和首席技術(shù)官Daniel Cooley探討了人工智能（AI）如何推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領(lǐng)域的變革，同時(shí)詳細(xì)介紹了芯科科技不斷發(fā)展的第二代無(wú)線開發(fā)平臺(tái)所取得的持續(xù)成功以及即將推出的第三代無(wú)線開發(fā)平臺(tái)。
2024-10-18
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MSO 4B 示波器為工程師帶來(lái)更多臺(tái)式功率分析工具
持續(xù)測(cè)量 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能可能是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。隨著設(shè)計(jì)師努力從硅基電源轉(zhuǎn)換器過渡到碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體，這些挑戰(zhàn)變得尤為棘手。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等三相系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師面臨更多復(fù)雜問題。
2024-10-18
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第6講：SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-10-18
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